Sistema RF de amplificador de potência de banda C ultralarga 4-8 GHz 50W

Este amplificador de potência de banda larga de 50 W é um módulo RF de alto desempenho projetado para aplicações que exigem potência de saída robusta na faixa de frequência de 4 GHz a 8 GHz. Utilizando tecnologia avançada de GaN (nitreto de gálio), ele oferece alta densidade de potência, excelente eficiência e linearidade confiável em uma ampla largura de banda instantânea. O amplificador foi projetado para oferecer estabilidade, durabilidade e desempenho consistente em ambientes exigentes.

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Descrição do produto

Principais recursos

Desempenho de banda larga: Opera perfeitamente em todo o espectro de 4 GHz a 8 GHz (Banda C) sem a necessidade de troca de banda.

Alta potência de saída: Fornece uma potência de saída saturada típica de 50 Watts (47dBm) no mínimo em toda a banda.

Alto Ganho: Apresenta um ganho típico de sinal pequeno de 50dB (mínimo), garantindo amplificação eficaz do sinal de fontes de baixa potência.

Excelente nivelamento de ganho: mantém nivelamento de ganho superior de normalmente ± 1,5dB em toda a faixa de frequência para desempenho uniforme.

Alta Eficiência: Incorpora design de alta eficiência, normalmente alcançando 30% de Eficiência de Energia Adicionada (PAE), reduzindo a carga térmica e o consumo de energia CC.

Desempenho Linear Robusto: Oferece alto ponto de compressão de 1dB (OP1dB) normalmente > 47dBm, suportando amplificação linear e saturada para vários esquemas de modulação.

Proteção e controle integrados: Inclui recursos de segurança abrangentes: proteção contra tensão reversa, desligamento por excesso de temperatura e proteção contra sobrecarga de saída/VSWR. Interface analógica padrão para controle de polarização, ativação/desativação (TTL) e monitoramento de status.

Gerenciamento térmico: Projetado com um sistema de resfriamento de placa de base eficiente para garantir operação confiável sob condições de carga total. Faixa de temperatura operacional da caixa: -40°C a +85°C.

Construção Robusta: Alojado em um pacote metálico robusto e hermeticamente selado para blindagem superior e resiliência ambiental, adequado para aplicações militares, aeroespaciais e industriais.

Não.	Descrição	Símbolo	Mínimo	Tipo	Máx.	Unidade	Observação
1.	Frequência operacional	PN	4000		8000	MHz
2.	Potência de entrada	Alfinete		0		dBm
3.	Potência de saída CW	Psat	47	48.5	49.5	dBm	Onda Contínua
4.	Ganho de potência	GP	47		49.5	dBm	@Pino=0dBm
5.	Nivelamento do ganho de potência	△GP		±1,5		dB	@Pino=0dBm
6.	Pequeno ganho de sinal	G	49	50.5	52	dB	@ Pino=-5dBm
7.	Planicidade de ganho de sinal pequeno	△G		±2		dB	@ Pino=-5dBm
8.	Perda de retorno de entrada	T11		-15		dB
9.	Tensão operacional	Vcc	28	28	32	V
10.	Consumo Atual	A		6	8	A	@Pout=50~90W
11.	Temperatura de trabalho		-40℃~+50℃
12.	Entrada do conector RF		AME, Feminino
13.	Saída do conector RF		AME, Feminino
14.	Peso			0.439	0.50	Kg
15.	ComprimentoLarguraAltura		1348022			milímetros
16.	Potência de entrada	PinMax	-5		5	dBm
17.	Definição de Interface (7W2 Feminino)	VDD	A1	Chão
		GND	A2	28Vcc
		Sentido Atual	1	Tensão analógica relativa à corrente do Módulo@100mV/A
		Sentido de temperatura	2	Tensão analógica relativa à temperatura do módulo@10mV/℃
		Habilitar	3	Habilitar amplificador			Habilitação do amplificador: TTL Logic High (3,3 V) （Puxado internamente para baixo）
		GND	4	Chão
	Dimensão geral	Observação: 1、 As dimensões gerais são apenas para referência; 2、 O tamanho pode ser aumentado ou diminuído adequadamente de acordo com os requisitos do cliente; 3、 As posições da interface de entrada, interface de saída e interface de fonte de alimentação podem ser alteradas de acordo com as necessidades reais dos clientes;

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